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ON Semiconductor - NVMFS5C468NLAFT1G

KEY Part #: K6397345

NVMFS5C468NLAFT1G 価格設定（USD） [341505個在庫]

  • 1 pcs$0.17708
  • 1,500 pcs$0.17620
品番:
NVMFS5C468NLAFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 13A 37A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C468NLAFT1G electronic components. NVMFS5C468NLAFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C468NLAFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C468NLAFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS5C468NLAFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 13A 37A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 13A (Ta), 37A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7.3nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 570pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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