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- 品番:
- FQB2N90TM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB2N90TM electronic components. FQB2N90TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB2N90TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB2N90TM 製品の属性
品番 :
FQB2N90TM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.2 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 85W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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