IRFB4019PBF 価格設定（USD） [54689個在庫]
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- 品番:
- IRFB4019PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB4019PBF electronic components. IRFB4019PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4019PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB4019PBF 製品の属性
品番 :
IRFB4019PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
95 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.9V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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