Diodes Incorporated - DMTH6009LPSQ-13

KEY Part #: K6396413

DMTH6009LPSQ-13 価格設定(USD) [212693個在庫]

  • 1 pcs$0.17390

品番:
DMTH6009LPSQ-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6009LPSQ-13 electronic components. DMTH6009LPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6009LPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6009LPSQ-13 製品の属性

品番 : DMTH6009LPSQ-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1925pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN