Infineon Technologies - IRFZ34NSPBF

KEY Part #: K6413802

IRFZ34NSPBF 価格設定(USD) [12974個在庫]

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品番:
IRFZ34NSPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFZ34NSPBF 製品の属性

品番 : IRFZ34NSPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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