Infineon Technologies - IRFH5104TR2PBF

KEY Part #: K6400799

IRFH5104TR2PBF 価格設定(USD) [3271個在庫]

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品番:
IRFH5104TR2PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 24A PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH5104TR2PBF 製品の属性

品番 : IRFH5104TR2PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3120pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.6W (Ta), 114W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-VQFN Exposed Pad

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