BSP179H6327XTSA1 価格設定（USD） [185227個在庫]
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- 品番:
- BSP179H6327XTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP179H6327XTSA1 electronic components. BSP179H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP179H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP179H6327XTSA1 製品の属性
品番 :
BSP179H6327XTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
400V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
210mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
0V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 94µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.8nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
135pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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