Central Semiconductor Corp - CXDM6053N TR

KEY Part #: K6399717

CXDM6053N TR 価格設定(USD) [222668個在庫]

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品番:
CXDM6053N TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CXDM6053N TR 製品の属性

品番 : CXDM6053N TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.8nC @ 5V
Vgs(最大) : 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 920pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-89
パッケージ/ケース : TO-243AA
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