[14129個在庫]
- 品番:
- FQPF4N90
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF4N90 electronic components. FQPF4N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF4N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF4N90 製品の属性
品番 :
FQPF4N90
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.3 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
47W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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