Infineon Technologies - IPU80R1K0CEBKMA1

KEY Part #: K6402749

[2597個在庫]


    品番:
    IPU80R1K0CEBKMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU80R1K0CEBKMA1 製品の属性

    品番 : IPU80R1K0CEBKMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
    シリーズ : CoolMOS™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.7A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 785pF @ 100V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 83W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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