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- 品番:
- STB12NM60N-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB12NM60N-1 electronic components. STB12NM60N-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB12NM60N-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB12NM60N-1 製品の属性
品番 :
STB12NM60N-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
960pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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