IXYS - IXFH9N80Q

KEY Part #: K6416098

IXFH9N80Q 価格設定(USD) [12099個在庫]

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品番:
IXFH9N80Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH9N80Q 製品の属性

品番 : IXFH9N80Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

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