Infineon Technologies - BSS126H6327XTSA2

KEY Part #: K6405356

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品番:
BSS126H6327XTSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS126H6327XTSA2 製品の属性

品番 : BSS126H6327XTSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 0V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 8µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.1nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 28pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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