Vishay Siliconix - SI7322DN-T1-E3

KEY Part #: K6393625

SI7322DN-T1-E3 価格設定(USD) [115201個在庫]

  • 1 pcs$0.32107
  • 3,000 pcs$0.30149

品番:
SI7322DN-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7322DN-T1-E3 electronic components. SI7322DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7322DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7322DN-T1-E3 製品の属性

品番 : SI7322DN-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 58 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 750pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD6630A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.