IXFT32N50 価格設定（USD） [1120個在庫]
- 30 pcs$6.16936
- 品番:
- IXFT32N50
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT32N50 electronic components. IXFT32N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT32N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT32N50 製品の属性
品番 :
IXFT32N50
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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