Renesas Electronics America - N0412N-S19-AY

KEY Part #: K6393753

N0412N-S19-AY 価格設定(USD) [124994個在庫]

  • 1 pcs$0.73586

品番:
N0412N-S19-AY
メーカー:
Renesas Electronics America
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Renesas Electronics America N0412N-S19-AY electronic components. N0412N-S19-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for N0412N-S19-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0412N-S19-AY 製品の属性

品番 : N0412N-S19-AY
メーカー : Renesas Electronics America
説明 : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5550pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.