Nexperia USA Inc. - PSMN130-200D,118

KEY Part #: K6415763

PSMN130-200D,118 価格設定(USD) [173508個在庫]

  • 1 pcs$0.30165
  • 2,500 pcs$0.30015

品番:
PSMN130-200D,118
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN130-200D,118 electronic components. PSMN130-200D,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN130-200D,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN130-200D,118 製品の属性

品番 : PSMN130-200D,118
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2470pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.