DF11MR12W1M1B11BOMA1 価格設定（USD） [695個在庫]
- 1 pcs$66.80379
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET MODULE 1200V 50A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 electronic components. DF11MR12W1M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF11MR12W1M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF11MR12W1M1B11BOMA1 製品の属性
品番 :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET MODULE 1200V 50A
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
125nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3950pF @ 800V
パワー-最大 :
20mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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