STMicroelectronics - STP5N80K5

KEY Part #: K6416763

STP5N80K5 価格設定(USD) [52836個在庫]

  • 1 pcs$0.70659
  • 10 pcs$0.62715
  • 100 pcs$0.49578
  • 500 pcs$0.38448
  • 1,000 pcs$0.28713

品番:
STP5N80K5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STP5N80K5 electronic components. STP5N80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP5N80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP5N80K5 製品の属性

品番 : STP5N80K5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.75 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 177pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.