Infineon Technologies - IPN60R3K4CEATMA1

KEY Part #: K6416676

IPN60R3K4CEATMA1 価格設定(USD) [514616個在庫]

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品番:
IPN60R3K4CEATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R3K4CEATMA1 製品の属性

品番 : IPN60R3K4CEATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 93pF @ 100V
FET機能 : Super Junction
消費電力(最大) : 5W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223
パッケージ/ケース : SOT-223-3

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