BSZ013NE2LS5IATMA1 価格設定（USD） [122172個在庫]
- 1 pcs$0.30275
- 5,000 pcs$0.29217
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 32A 8SON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1 electronic components. BSZ013NE2LS5IATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ013NE2LS5IATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ013NE2LS5IATMA1 製品の属性
品番 :
BSZ013NE2LS5IATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3400pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PSMN010-55D,118
- SCT50N120
- AOT440L_001
- DMN2400UFDQ-7
- IPA80R460CEXKSA1
- GP1M006A065FH
- PMFPB8040XP,115
- APT28F60S
- IRLR3715TRRPBF
- AON7246
- STS3P6F6
- AUIRFP2907Z
- 2N7002L6327HTSA1
- TPCP8001-H(TE85LFM
- IRF3707ZCSTRLP
- APT8024LLLG
- SPA03N60C3XKSA1
- SPP80N08S2L-07
- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
- MIC94050BM4 TR
- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
- IRL2910L
- SI4420DY
- IRLU3303
- IRFZ34NS
- 2SK3047
- STD10PF06T4
- IPD60R1K4C6
- IPW65R125C7XKSA1
- SIHP15N60E-E3
- STF12NM65
- AUIRF1324STRL
- AUIRF1405ZS-7TRL
- SI4190ADY-T1-GE3
- BUK7M21-40EX
- RQ6E035ATTCR