[13089個在庫]
- 品番:
- IXFV22N60P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFV22N60P electronic components. IXFV22N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFV22N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFV22N60P 製品の属性
品番 :
IXFV22N60P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
350 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS220
パッケージ/ケース :
TO-220-3, Short Tab
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