IXYS - IXFH20N80Q

KEY Part #: K6413817

IXFH20N80Q 価格設定(USD) [12968個在庫]

  • 30 pcs$6.88197

品番:
IXFH20N80Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFH20N80Q electronic components. IXFH20N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH20N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH20N80Q 製品の属性

品番 : IXFH20N80Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5100pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5805

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

  • IRF5800

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

  • IRF5804

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • IRF5803

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5806

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

  • ZVN4206AVSTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.