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- 品番:
- FQPF9N08L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF9N08L electronic components. FQPF9N08L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9N08L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF9N08L 製品の属性
品番 :
FQPF9N08L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
280pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
23W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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