BSB104N08NP3GXUSA1 価格設定（USD） [142021個在庫]
- 1 pcs$0.26044
- 5,000 pcs$0.23897
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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BSB104N08NP3GXUSA1 製品の属性
品番 :
BSB104N08NP3GXUSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 40µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2100pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース :
3-WDSON
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