IRF6717MTRPBF 価格設定（USD） [79271個在庫]
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- 品番:
- IRF6717MTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6717MTRPBF electronic components. IRF6717MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6717MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6717MTRPBF 製品の属性
品番 :
IRF6717MTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Ta), 200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.25 mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
69nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6750pF @ 13V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric MX
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