Infineon Technologies - IPW60R090CFD7XKSA1

KEY Part #: K6392590

IPW60R090CFD7XKSA1 価格設定(USD) [11588個在庫]

  • 1 pcs$3.55645

品番:
IPW60R090CFD7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
HIGH POWERNEW.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R090CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R090CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R090CFD7XKSA1 製品の属性

品番 : IPW60R090CFD7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : HIGH POWERNEW
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 570µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2103pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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