IRFH8321TRPBF 価格設定（USD） [234106個在庫]
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- 品番:
- IRFH8321TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH8321TRPBF electronic components. IRFH8321TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH8321TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH8321TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH8321TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Ta), 83A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.4W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-TQFN Exposed Pad
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