Nexperia USA Inc. - PSMN1R5-30BLEJ

KEY Part #: K6418188

PSMN1R5-30BLEJ 価格設定(USD) [54990個在庫]

  • 1 pcs$0.71104
  • 800 pcs$0.69541

品番:
PSMN1R5-30BLEJ
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLEJ electronic components. PSMN1R5-30BLEJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R5-30BLEJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R5-30BLEJ 製品の属性

品番 : PSMN1R5-30BLEJ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 228nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 14934pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 401W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • TK6A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.

  • TK9A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS.