APT17F100S 価格設定（USD） [2219個在庫]
- 60 pcs$4.72019
- 品番:
- APT17F100S
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT17F100S electronic components. APT17F100S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT17F100S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT17F100S 製品の属性
品番 :
APT17F100S
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
シリーズ :
POWER MOS 8™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
780 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4845pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
625W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D3Pak
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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