IXYS - IXTA102N15T

KEY Part #: K6393630

IXTA102N15T 価格設定(USD) [26643個在庫]

  • 1 pcs$1.78782
  • 50 pcs$1.77893

品番:
IXTA102N15T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 102A TO-263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTA102N15T electronic components. IXTA102N15T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA102N15T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA102N15T 製品の属性

品番 : IXTA102N15T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 150V 102A TO-263
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 102A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5220pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 455W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD6630A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.