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- 品番:
- IRF6893MTR1PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 29A MX.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6893MTR1PBF electronic components. IRF6893MTR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6893MTR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6893MTR1PBF 製品の属性
品番 :
IRF6893MTR1PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 29A MX
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Ta), 168A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3480pF @ 13V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric MX
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