DMN6066SSD-13 価格設定（USD） [217086個在庫]
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- 2,500 pcs$0.15140
- 品番:
- DMN6066SSD-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6066SSD-13 electronic components. DMN6066SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6066SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6066SSD-13 製品の属性
品番 :
DMN6066SSD-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
66 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
502pF @ 30V
パワー-最大 :
1.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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