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ON Semiconductor - FCP104N60F

KEY Part #: K6416740

FCP104N60F 価格設定（USD） [17950個在庫]

  • 1 pcs$2.29605
  • 800 pcs$1.90913
品番:
FCP104N60F
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCP104N60F electronic components. FCP104N60F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP104N60F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP104N60F 製品の属性

品番 : FCP104N60F
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V TO-220
シリーズ : HiPerFET™, Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 37A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 104 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6130pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 357W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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