Nexperia USA Inc. - PSMN1R1-40BS,118

KEY Part #: K6407473

PSMN1R1-40BS,118 価格設定(USD) [54793個在庫]

  • 1 pcs$0.71716
  • 800 pcs$0.71360

品番:
PSMN1R1-40BS,118
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS,118 electronic components. PSMN1R1-40BS,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R1-40BS,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R1-40BS,118 製品の属性

品番 : PSMN1R1-40BS,118
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 136nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9710pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 306W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SJ610(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD.

  • SSR1N60BTM_F080

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK.