Infineon Technologies - IRFB3307ZPBF

KEY Part #: K6400432

IRFB3307ZPBF 価格設定(USD) [35289個在庫]

  • 1 pcs$1.00762
  • 10 pcs$0.91188
  • 100 pcs$0.73264
  • 500 pcs$0.56983
  • 1,000 pcs$0.47214

品番:
IRFB3307ZPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFB3307ZPBF electronic components. IRFB3307ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB3307ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB3307ZPBF 製品の属性

品番 : IRFB3307ZPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4750pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 230W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • PMN50EPEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN50EPE/SOT457/SC-74.

  • PMN25ENEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN25ENE/SOT457/SC-74.

  • PMN28UNEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN28UNE/SOT457/SC-74.

  • PMN230ENEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN230ENE/SOT457/SC-74.

  • TPCC8103(TE12L,QM)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.

  • CSD18536KCS

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.