STMicroelectronics - STS8N6LF6AG

KEY Part #: K6403337

STS8N6LF6AG 価格設定(USD) [163814個在庫]

  • 1 pcs$0.22579
  • 2,500 pcs$0.20099

品番:
STS8N6LF6AG
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STS8N6LF6AG electronic components. STS8N6LF6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STS8N6LF6AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STS8N6LF6AG 製品の属性

品番 : STS8N6LF6AG
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 24 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1340pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.

  • FDD8770

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FDD2572-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 29A DPAK.

  • FDD5N50UTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 3A DPAK.