[13390個在庫]
- 品番:
- NTMS4P01R2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMS4P01R2 electronic components. NTMS4P01R2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4P01R2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMS4P01R2 製品の属性
品番 :
NTMS4P01R2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.15V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1850pF @ 9.6V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
790mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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