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ON Semiconductor - NTMS4P01R2

KEY Part #: K6412597

[13390個在庫]

    品番:
    NTMS4P01R2
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTMS4P01R2 electronic components. NTMS4P01R2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4P01R2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMS4P01R2 製品の属性

    品番 : NTMS4P01R2
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 12V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.4A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1.15V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 35nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1850pF @ 9.6V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 790mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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