IRFS7530PBF 価格設定（USD） [2534個在庫]
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- 1,000 pcs$1.00451
- 品番:
- IRFS7530PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 60V 195A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFS7530PBF electronic components. IRFS7530PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS7530PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFS7530PBF 製品の属性
品番 :
IRFS7530PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
195A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
411nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13703pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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