ON Semiconductor - FQB7N20LTM

KEY Part #: K6410736

[14033個在庫]


    品番:
    FQB7N20LTM
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQB7N20LTM electronic components. FQB7N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB7N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB7N20LTM 製品の属性

    品番 : FQB7N20LTM
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.5A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 3.25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.13W (Ta), 63W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVN3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • FQD4P40TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK.

    • HUFA75617D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • FQD5N50TM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK.

    • FQD2N100TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

    • FQD24N08TM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK.