ON Semiconductor - EFC6612R-A-TF

KEY Part #: K6523685

[4082個在庫]


    品番:
    EFC6612R-A-TF
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor EFC6612R-A-TF electronic components. EFC6612R-A-TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC6612R-A-TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EFC6612R-A-TF 製品の属性

    品番 : EFC6612R-A-TF
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    FET機能 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
    Vgs(th)(最大)@ Id : -
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
    パワー-最大 : 2.5W
    動作温度 : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-SMD, No Lead
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-CSP (1.77x3.54)

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