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ON Semiconductor - NVMFD5C650NLT1G

KEY Part #: K6521907

NVMFD5C650NLT1G 価格設定（USD） [82350個在庫]

  • 1 pcs$0.47481
品番:
NVMFD5C650NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G electronic components. NVMFD5C650NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C650NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C650NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C650NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 98µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 16nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2546pF @ 25V
パワー-最大 : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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