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ON Semiconductor - NVMFD5C650NLT1G

KEY Part #: K6521907

NVMFD5C650NLT1G 価格設定（USD） [82350個在庫]

  • 1 pcs$0.47481
品番:
NVMFD5C650NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G electronic components. NVMFD5C650NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C650NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C650NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C650NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 98µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 16nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2546pF @ 25V
パワー-最大 : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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