IXYS - IXFR64N60P

KEY Part #: K6395742

IXFR64N60P 価格設定(USD) [8048個在庫]

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品番:
IXFR64N60P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR64N60P 製品の属性

品番 : IXFR64N60P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
シリーズ : HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 36A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 105 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 320W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOPLUS247™
パッケージ/ケース : ISOPLUS247™