Infineon Technologies - BSO200P03SHXUMA1

KEY Part #: K6420628

BSO200P03SHXUMA1 価格設定(USD) [220828個在庫]

  • 1 pcs$0.16749
  • 2,500 pcs$0.15300

品番:
BSO200P03SHXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSO200P03SHXUMA1 electronic components. BSO200P03SHXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO200P03SHXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSO200P03SHXUMA1 製品の属性

品番 : BSO200P03SHXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2330pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.56W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-DSO-8
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません