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- 品番:
- IRFU3707ZPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFU3707ZPBF electronic components. IRFU3707ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU3707ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU3707ZPBF 製品の属性
品番 :
IRFU3707ZPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.25V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1150pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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