RS3E135BNGZETB 価格設定（USD） [248329個在庫]
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- 品番:
- RS3E135BNGZETB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RS3E135BNGZETB electronic components. RS3E135BNGZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3E135BNGZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS3E135BNGZETB 製品の属性
品番 :
RS3E135BNGZETB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.3nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
680pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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