Vishay Siliconix - SI4636DY-T1-E3

KEY Part #: K6406113

[1431個在庫]


    品番:
    SI4636DY-T1-E3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4636DY-T1-E3 electronic components. SI4636DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4636DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4636DY-T1-E3 製品の属性

    品番 : SI4636DY-T1-E3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2635pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    あなたも興味があるかもしれません