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- 品番:
- BSP123E6327T
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP123E6327T electronic components. BSP123E6327T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP123E6327T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP123E6327T 製品の属性
品番 :
BSP123E6327T
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
370mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 370mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.8V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
70pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.79W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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