IXTT1N300P3HV 価格設定（USD） [3224個在庫]
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- 10 pcs$13.67106
- 100 pcs$11.67562
- 品番:
- IXTT1N300P3HV
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTT1N300P3HV electronic components. IXTT1N300P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT1N300P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTT1N300P3HV 製品の属性
品番 :
IXTT1N300P3HV
メーカー :
IXYS
説明 :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
3000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
895pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
195W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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