DMN3009SK3-13 価格設定（USD） [355999個在庫]
- 1 pcs$0.10390
- 品番:
- DMN3009SK3-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3009SK3-13 electronic components. DMN3009SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3009SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3009SK3-13 製品の属性
品番 :
DMN3009SK3-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.4W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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